La novedad la dio a conocer Samsung durante la conferencia de desarrolladores de Intel de San Francisco (IDF 2012): la nueva generación de memorias informáticas DDR4 llegará en 2014 con mejor rendimiento y menor consumo.
Para la demostración Samsung utilizó una oblea de 300 milímetros fabricada usando procesos de 30 nanómetros, aunque también mostró un módulo ya ensamblado en formato RDIMM con 16 Gbytes de capacidad y una frecuencia de 2.133 MHz.
Sin embargo la apuesta es más alta y la compañía espera lanzar al mercado módulos de memoria con velocidades superiores a los 3.200 MHz.
Atendiendo a la hoja de ruta presentada por Samsung y otros fabricantes, la nueva generación de memorias harán su aparición en 2014, ofreciendo mayor rendimiento y menor consumo que las actuales DDR3 pero sin compatibilidad con las placas base existentes.
No hay comentarios:
Publicar un comentario